Еднокристално силиконско супер сферично огледало со низок губиток за прецизни EUV системи
Конструирано за да се постигне грубост на површината од <0.1 nm и чистота на материјалот од 99.9999%, нашето еднокристално силиконско сферично огледало со супер низок губиток ја редефинира оптичката прецизност за екстремна ултравиолетова (EUV) литографија, квантно пресметување и воздухопловни системи. Со вертикално интегрирано производство од раст на кристали до ISO-сертифицирана метрологија, испорачуваме огледала кои одржуваат точност на површината λ/10 дури и под термички оптоварувања од 500K.

параметри
| Параметар |
спецификација |
| димензија |
1)D=φ12.7-φ50.8mm (толеранција±0.1),H=4-8mm D:H>4:1 (толеранција±0.5) 2)D50.8-φ100mm (толеранција±0.1))-10mm H=25 D:H>4:1(толеранција±0.5) |
| Големина на почетокот |
φ7.5-45mm |
| Областа за обложување |
конвенционална големина D12.7, големина на површина за обложување 7.5; Областа за обложување D25 големина 10, другата големина на површината за обложување може да се прилагоди |
| Закривеност |
SR: 500-8000mm (приспособливо), точност ±0.05% |
| Точност на површината |
λ/2-λ/10 @632.8 nm |
| Сферична точност |
30"-3" |
| Грубост |
Ra0.12nm (Zygo profilometer) тест област 173*173um мерење на целосна фреквенција |
| слој |
R ≥ 99.999%, загуба 2-6 ppm, T: 3-5 ppm (632-1550nm) |
| материјал |
Еднокристален силикон |
| Чемфер |
0.2~0.5*45° |
| може да се прилагоди според потребите на корисниците. |
Зошто нашите огледала се подобри од другите
Површинско совршенство на атомско ниво
- Мазност под ангстрем: Постигнете грубост од ≤0.12 nm Ra преку магнетореолошка завршна обработка, елиминирајќи го расејувањето на светлината во EUV литографијата и инспекција во темно поле - клучно за производство на чипови од 3nm каде што дури и неправилностите на атомска скала би ја искривиле светлината од 13.5 nm, обезбедувајќи беспрекорно обликување и откривање на дефекти.
- Нула оштетување на подземјето: Полирањето без стрес спречува фрактури предизвикани од ласер, што е од витално значење за EUV колекторските огледала и LDI системите, каде што стресот на материјалот може да предизвика катастрофален дефект под импулси со голема моќност, одржувајќи го интегритетот во текот на повеќе од 10⁸ циклуси во полупроводничките фабрики.
- Кристалографска униформност: Отстапувањето од ориентацијата од <0.1° по целата површина обезбедува конзистентни оптички својства, што е клучно за алатките за обликување и инспекција на фотолитографскиот зрак - оваа униформност спречува локализирани падови на перформансите, што е клучно за сигурно производство на 3nm јазли и анализа на дефекти со висока прецизност.
EUV-оптимизирани перформанси
- Рефлективност од 95%+ на бранова должина од 13.5 nm: Обезбедува максимално искористување на фотоните во EUV литографијата за производство на чипови од 3nm, каде што секој фотон од 13.5 nm е клучен за прецизно обликување - оваа висока рефлективност го минимизира губењето на енергија, зголемувајќи го протокот во полупроводничките фабрики зависни од ефикасно користење на светлината.
- Губење на апсорпција од <5 ppm дури и при 20 W/cm² EUV флукс: Спречува прекумерно загревање и деградација на перформансите во EUV системи со голема моќност, одржувајќи стабилност во колекторските огледала и обликувачите на зраци под интензивен флукс, што е клучно за избегнување на термичка дисторзија што би ги уништило шемите на јазлите од 3nm.
- Стабилност на термичка експанзија од 0.05 ppm/K: Гарантира димензионална конзистентност низ температурните флуктуации кај EUV алатките, обезбедувајќи точност на усогласување во фотолитографијата и системите за инспекција - оваа стабилност спречува неусогласеност што може да ја загрози прецизноста на производството од 3nm, дури и кога работните температури варираат.
Критична сигурност за мисијата
- 10-годишен животен век при работа со висока енергија 24/7: Обезбедува долгорочна сигурност кај EUV литографските системи кои работат континуирано, намалувајќи го времето на застој за замена во фабриките за чипови од 3nm - оваа издржливост се совпаѓа со високата рефлективност и ниската апсорпција, одржувајќи конзистентни перформанси во текот на годините интензивна изложеност на фотони од 13.5nm.
- Отпорност на удари/вибрации во согласност со MIL-O-13830A стандардот: Издржува механички стрес при транспорт и работа, што е клучно за EUV алатките што се движат помеѓу објектите или се изложени на фабрички вибрации, спречувајќи поместувања на порамнувањето што би го нарушиле шаблонот од 3nm, надополнувајќи ја термичката стабилност за целосна робусност.
- Прилагодени AR премази за потиснување на повратните рефлексии од 632-1550 nm: Ги елиминира пречките од заскитаните бранови должини во повеќесистемските поставувања, осигурувајќи дека 13.5nm EUV светлината останува некомпромитирана - оваа прецизност ја подобрува точноста на фотолитографијата, во комбинација со ниска апсорпција за оптимизирање на ефикасноста на производството на 3nm јазли.
Прецизно проектирано за производство на чипови од 3nm
Нашето еднокристално силиконско сферно огледало со супер низок губиток овозможува производство на полупроводници од следната генерација преку:
1. Елиминирање на дисторзијата на шемата преку точност на брановиот фронт λ/20
2. Намалување на циклусите на замена на огледалата за 40% преку површини без дефекти
3. Одржување на кохерентноста на зракот со <0.001% термичко поместување на 500K
Доверлив од глобални иноватори
„Откако се префрливме на нивните сферични огледала, постигнавме 1.8% повисоки приноси на плочки во нашата производствена линија од 5nm јазли.“ – Главен инженер, Топ 3 полупроводнички OEM производители
Приспособување и усогласеност
- Флексибилност на големината: Од микрооптика од φ7.5 mm до подлоги од 100 mm
- Опции за обложување:
- Широкопојасен UV-IR (250-2000 nm)
- Ласер со тесна ширина на линијата (±0.1 nm)
- EUV-оптимизирани повеќеслојни стекови
- Сертификати:
- Сертифицирано производство според ISO 9001/14001
- Без ITAR, усогласен со REACH/ROHS
- Целосна подготвеност за ревизија на добавувачи на ASML

Најчесто поставувани прашања
П: Како се спречува термичка деформација кај апликации со голема моќност?
A: Нашите огледала го користат ултра-нискиот CTE (0.05 ppm/K) на монокристалниот силициум во комбинација со дизајни за монтирање без напрегање, ограничувајќи го отстапувањето на обликот на <1 nm дури и на 500K.
П: Кои мерки за контрола на квалитетот гарантираат површини без дефекти?
A: Секое сферно огледало со супер низок губиток од силикон со еден кристал се подложува на:
- Интерферометрија на бела светлина (резолуција од 0.1 nm)
- 100% мапирање на дефекти преку микроскопија со темно поле
- LIDT тестирање до 50 MW/cm²
П: Можете ли да ги усогласите постоечките спецификации за OEM премази?
A: Да. Споделете ги вашите барања за кривата на рефлективност, а нашиот тим за обложување ќе обезбеди решенија оптимизирани за загуби во рок од 72 часа.
Побарајте ја вашата бесплатна симулација на огледало
Подготвени сте да ги подобрите вашите оптички системи со нашето еднокристално силиконско сферично огледало со супер низок губиток ? Нашиот тим експерти е тука да ви помогне да го пронајдете совршеното решение за вашиот проект.
Е-пошта: xachaona@163.com